NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ නිෂ්පාදන විස්තරය
| Atributo del producto | Valor de attributo |
| රෙදි: | onsemi |
| නිෂ්පාදන වර්ගීකරණය: | MOSFET |
| RoHS: | විස්තර |
| තාක්ෂණය: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| පැකට් / කියුබියර්ටා: | SC-88-6 |
| Polaridad del Transistor: | N-නාලිකාව |
| Número de canales: | 2 නාලිකාව |
| Vds - ආතතිය කඩාකප්පල් කිරීම ඇතුළු වීම: | 60 V |
| Id - Corriente de drenaje continuea: | 295 mA |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1.6 ඕම් |
| Vgs - ආතතිය ප්‍රවේශ වීම: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 වී |
| Qg - Carga de Puerta: | 900 pC |
| උෂ්ණත්වය: trabajo mínima: | - 55 සී |
| උෂ්ණත්වය: trabajo maxima: | + 150 සී |
| Dp - Disipación de potencia: | 250 mW |
| මෝඩෝ ඇල: | වැඩිදියුණු කිරීම |
| Empaquetado: | රීල් |
| Empaquetado: | ටේප් කපන්න |
| Empaquetado: | MouseReel |
| මාර්කා: | onsemi |
| වින්‍යාසය: | ද්විත්ව |
| Tiempo de caida: | 32 ns |
| අල්තුරා: | 0.9 මි.මී |
| දේශාංශ: | 2 මි.මී |
| නිෂ්පාදනය සඳහා උපදෙස්: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 34 ns |
| මාලාව: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| උපප්රවර්ගය: | MOSFETs |
| ටිපෝ ඩි ට්‍රාන්සිස්ටරය: | 2 N-නාලිකාව |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 34 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 22 ns |
| ඇන්කෝ: | 1.25 මි.මී |
| Peso de la unidad: | 0.000212 අවුන්ස |
• අඩු RDS(on)
• අඩු ගේට්ටු එළිපත්ත
• අඩු ආදාන ධාරිතාව
• ESD ආරක්ෂිත ද්වාරය
• වාහන සහ වෙනත් යෙදුම් සඳහා NVJD උපසර්ගය අද්විතීය වෙබ් අඩවිය සහ පාලන වෙනස් කිරීමේ අවශ්‍යතා අවශ්‍ය වේ;AEC−Q101 සුදුසුකම් සහ PPAP හැකියාව ඇත
• මෙය Pb−Free Device එකකි
•Low Side Load Switch
• DC−DC පරිවර්තක (Buck සහ Boost Circuits)
